ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

Переход свободных носителей заряда (НЗ) в локализованные состояния, связанные с нарушениями идеальности кристаллической решётки полупроводника (наличием в нём примесных атомов, вакансий и других дефектов). 

Различают излучательный и безызлучательный Захват носителей заряда При излучательном захвате энергия выделяется в виде энергии электро-магнитного излучения; при безызлучательном захвате она передаётся колебаниям кристаллической решётки (фононам) или другому свободному НЗ (оже-захват). Обычно преобладает фононный Захват носителей заряда, при достаточно больших концентрациях НЗ доминирующим становится механизм оже-захвата.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.