ТРАВЛЕНИЕ

Растворение с последующим удалением части материала с поверхности твёрдых тел в технологич. целях (для полирования, изменения формы, очистки от загрязнений и т. д.) и для выявления структуры материала (кристаллического). Соответственно различают технологич. и структурное Т.

В технологии электронного приборостроения исполь-, зуется главным образом технологич. Т. для обработки деталей ЭВП, подложек, ПП пластин, печатных плат и др. изделий из металла, ПП, стекла, пластмассы. По назначению технологич. Т. подразделяется на полирующее, локальное (или размерное) и селективное. Полирующее Т. Применяют обычно для окончательной (финишной) доводки обрабатываемой поверхности; в результате устраняются дефекты, оставшиеся в приповерхностном слое после механич. обработки изделия, поверхность изделия очищается от физических (пыль, волокна, следы абразива и органич. веществ, частицы стружки и т. п.) и химических (окисные и сульфидные плёнки, окалина и пр.) загрязнений, для сглаживания микрорельефа и доведения толщины плоских деталей до заданной величины. Локальное Т. имеет целью удаление части вещества с поверхности изделия на заданном участке (ограниченном, например, краями маски) для получения определённого рисунка в маске или рельефе (например, на поверхности ПП пластины при получении требуемой топологии ИС или электрич. схемы на печатной плате) либо для придания отд. элементам изделия требуемых форм и размеров. Селективное Т. применяют в основном в пленарной технологии для создания требуемого рисунка на ПП пластинах или многослойных структурах, а также в целях выявления структуры поверхности монокристаллов и характера структурных дефектов крист. материалов, обнаружения р-п-переходов и т. п.

В произ-ве ИЭТ распространены след. осн. способы Т.: химич., электрохимич., ионно-плазменное, плазмохимиче-ское. Хим. Т. может проводиться в р-рах, парогазовой смеси и в расплавах, при этом обрабатываемый материал частично претерпевает хим. изменения. Разновидностью хим. Т. являются химико-механич. полирование, при котором продукты хим. реакций удаляются с обрабатываемой поверхности механич. способом, например воздушным обдувом, и химико-динамич. полирование, при котором обрабатываемая деталь вращается в травителе, что способствует ускорению процесса обработки изделия. Наиболее распространённым травителем для ПП пластин соединений типа А В является смесь азотной и фтористоводородной кислот. Электрохим. Т. осуществляется в системе анод - электролит - катод при пропускании электрич. тока. В этой системе анодом служит обрабатываемое изделие, а катодом - инертный по отношению к электролиту материал. В качестве травителя при электро-хим. Т. наиболее часто используется водный р-р хлорной кислоты. Хим. и электрохим. Т. позволяют получать качеств, поверхность монокрист. материалов. После хим. и электрохим. Т. необходима тщательная очистка обрабатываемой поверхности от продуктов реакций.

Ионно-плазменное и плазмохимич. Т. - т.н. сухое травление-основаны на использовании компонентов низкотемпературной газоразрядной плазмы - ионов, электронов, возбуждённых атомов и др. При ионно-плазменном Т. вещество с обрабатываемой поверхности удаляется распылением в результате бомбардировки её ионами инертных газов с энергией 1-10 кэВ. Плазмохим. Т. происходит в среде низкотемпературной плазмы инертных газов (как правило, галогенсодержащих) с образованием летучих хим. соединений, которые удаляются из зоны обработки посредством принудит, вентиляции. По сравнению с хим. и электрохим. Т. сухое Т. обеспечивает более высокую разрешающую способность (для получения рельефной поверхности по заданной топологии с мин. боковым растравливанием); позволяет совмещать в единой технологич. установке последовательно выполняемые операции Т., удаления защитных масок и очистки поверхности подложки; легче поддаётся частичной и полной автоматизации. Кроме того, сухое Т. практически не загрязняет окружающую среду, т. к. использует значительно меньше, чем при обычном, жидкостном Т., рабочих газов и смесей.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.