ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ

Совокупность способов получения и обработки тонких плёнок металлов, диэлектриков, полупроводников при изготовлении ИС, полупроводниковых приборов, коммутационных соединений и монтажных площадок в микросхемах. Основу Тонкопленочных технологий составляют методы получения плёнок толщиной 0,01-1,0 мкм. Эти методы можно подразделить на 3 класса: физические, химические и комбинационные.

К физическим методам получения тонких плёнок относятся: испарение в вакууме (термические, электроннолучевое, посредством электронной бомбардировки и другие), ионное распыление (магнетронное, ионно-лучевое и другие).

Химические методы объединяют: электрохимическое осаждение, осаждение из газовой фазы с помощью химических реакций, термическое выращивание, анодирование и прочее.

Комбинационные методы получения плёнок сочетают в себе как физические, так и химические процессы (термоионное и плазмохимическте осаждение, газовое анодирование и другое). Нужная конфигурация тонкоплёночных элементов микросхем (их рисунок) создаётся осаждением через маски, фотолитографией, электронолитографией и дугими способами.

В качестве подложек обычно применяют пластинки из стекла, керамики, ситаллов, органических материалов, монокристаллов ПП и других материалов. Подложки для изготовления тонкоплёночных элементов микросхем должны удовлетворять ряду требований: отсутствие поверхностных и внутренних (объёмных) дефектов, большое объёмное и поверхностное удельное электрическое сопротивление, высокие теплопроводность, термостойкость, механическая прочность и т. д. Для получения тонких плёнок на подложках промышленостью выпускается специальное технологическое оборудование, например вакуумно-напылительные установки термического испарения и иного распыления.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.