ТОЛСТЫЕ ПЛЁНКИ

Используемые в микроэлектронике твёрдые слои толщиной не менее 3-5 мкм. Эта граница является весьма условной, т. к. различие между Т. п. и тонкими плёнками определяется не столько толщиной, сколько технологией изготовления: Т. п. обычно получают из паст методом трафаретной печати (сеткографии) с последующей термообработкой (см. Толстоплёночная технология). В состав паст для Т. п. входят функцион. материалы (порошки металла, стекла), определяющие электропроводность Т. п., а также органич. связующие вещества. Функцион. материалы вводят в пасту в виде мелких частиц с макс, размером не св. 5 мкм. Т. п. представляют собой гетерогенные неупорядоченные системы, физ. (в частности, электрич.) свойства которых сильно зависят от природы матрицы и наполнителя, распределения размеров и формы диспергированных частиц; поэтому теоретич. расчёт свойств Т. п. затруднителен. 

По своему назначению Т. п. (и соответствующие пасты) подразделяются на проводящие, резистивные и изолирующие (диэлектрические). Проводящие Т.п. имеют поверхностное сопротивление 0,002-0,1 Ом/кв (ом на квадрат) в зависимости от состава пасты и толщины слоя. Помимо высокой проводимости проводящие Т. п. должны обладать хорошей адгезией с подложкой (обычно керамической), способностью к соединению посредством пайки, термокомпрессии или УЗ сварки; обеспечивать возможность нанесения тонких линий; быть технологически совместимыми с применяемыми резистивными и изолирующими пастами. Этим условиям удовлетворяют проводящие пасты на основе, 1п. Резистивные Т. п. имеют поверхностное сопротивление 10-10 Ом/кв, температурный коэф. сопротивления (25-300) -10 К (в рабочем диапазоне температур от -55 до +125 С).

В качестве функцион. материалов для резистивных паст используют, а также оксиды и нитриды Та, Рс, Ке и др. Доводка сопротивления Т. п. до номинала осуществляется путём лазерной подгонки (прорезания в резисторе щелей и пазов). Диэлектрические Т. п. используются для изоляции элементов ИС, а также в конденсаторах. Функцион. материалы, стекло и др. Широкое использование Т. п. в совр. микроэлектронике для изготовления ИС малой и ср. степени интеграции обусловлено рядом преимуществ: простотой изготовления ИС; малой стоимостью и трудоёмкостью; непродолжительностью производств, цикла. Недостатки - большие размеры ИС, меньшая точность воспроизведения номинальных значений по сравнению с тонкими плёнками. Для устранения этих недостатков разрабатываются новые трафаретные пасты, позволяющие осуществлять фотолитографич. обработку (см. Литография).

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.