ТОЧЕЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Биполярный транзистор, в котором области эмиттера и коллектора расположены в одной плоскости под прижимными точечными контактами (между металлич. заострёнными проволочными электродами и поверхностью полупроводниковой пластины). Линейные размеры точечных контактов составляют неск. микрон, а расстояние между ними - порядка десятков микрон.

В Т. т. переход неравновесных носителей заряда (дырок), инжектируемых эмиттером в базовую область, представляет собой дрейф зарядов в электрич. поле (создают напряжением порядка 1 В, приложенным между эмиттером и базой). При достаточной диффузионной длине дырок (порядка 10 см и более) значительная их часть «втягивается» в область коллектора под действием электрич. поля, создаваемого напряжением, приложенным между коллектором и базой (десятки В). При малых напряжениях на коллекторе (5 В) Т. т. теряет работоспособность вследствие рекомбинации неосновных носителей заряда во всём объёме базы (в отличие от плоскостного транзистора). Т. т. характеризуется дополнит, усилением по току вблизи коллекторного перехода, к-рое обусловлено увеличением концентрации электронов в базе вследствие захвата дырок электрич. полем коллектора (1) и как бы положительной обратной связью между цепями эмиттера и коллектора, которая при отсутствии во внеш. цепях токоограничивающих сопротивлений приводит к лавинному электрическому пробою.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.