ТИРИСТОР

Полупроводниковый прибор на основе монокристалла полупроводника с многослойной структурой типа р-п-р-п (с тремя или более электронно-дырочными переходами); обладает свойствами электрич. вентиля. Обычно Т. имеет три вывода: два из них (катод и анод) контактируют с крайними областями монокристалла, а третий (управляющий электрод) - с одной из промежуточных областей. Такой управляемый Т. наз. иногда триодным Т., или т р и-нистором, в отличие от неуправляемого, имеющего лишь два вывода (катод и анод) и называемого диодным Т., или динистором. Вольт-амперная характеристика Т. имеет 5-образный вид. По аналогии с тиратроном Т. получил своё назв. благодаря свойству легко переходить (переключаться) из запертого состояния (с низкой проводимостью, точка А на ВАХ) в открытое состояние (с высокой проводимостью или близким к нулю дифференц. сопротивлением, точка В) и наоборот.

Участок СО на ВАХ прибора соответствует состоянию с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Наличие двух устойчивых состояний, а также низкая мощность рассеяния Т. обусловили широкое использование их в разл. устройствах (от регулирования мощности в бытовых электроприборах до переключения и преобразования энергии в сложных электрич. установках).

Если на анод (внеш. р-слой) подан положит, потенциал относительно катода (внеш. п-слой), то крайние электронно-дырочные переходы П и П оказываются смещёнными в прямом направлении, а центр, переход ГЬ - в обратном. Через переходы ГЬ и ГЬ в области, примыкающие к переходу, инжектируются неосновные носители заряда, при этом снижается сопротивление П2 и увеличивается ток через него. С увеличением анодного напряжения Оа ток через Т. сначала растёт медленно (участок ОА на ВАХ).

В этом режиме сопротивление перехода П2 ещё велико (С1а оказывается практически полностью приложенным к П2), что соответствует запертому состоянию Т. По мере увеличения напряжения на Т. снижается доля напряжения, падающего на ГЬ, и увеличивается прямое напряжение на П, и П, что вызывает дальнейший рост тока через Т. и усиление инжекции неосновных носителей в область Г. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен В), наз. напряжением переключения 1 (точка С на ВАХ), Т. переходит в состояние с высокой проводимостью (включается) и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внеш. цепи.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.