ТЕСТОВАЯ СТРУКТУРА

Часть кристалла интегральной схемы, полупроводниковой или диэлектрич. пластины (подложки), в объёме и (или) на поверхности которой сформированы полупроводниковые, диэлектрич. и проводящие области, по своим свойствам аналогичные областям основных элементов ИС и предназначенные для поэтапного измерения её параметров в процессе изготовления. Т. с. используются как при массовом произ-ве (см. Встроенный контроль), так и при разработке новых типов ИС, новых технологич. процессов их изготовления, при исследовании механизмов работы и причин отказа отд. элементов ИС. С помощью Т. с. определяют поверхностное электрич. сопротивление, концентрацию электрически активных примесей, время жизни и подвижность носителей заряда, толщины диэлектрич. слоев, плотность дефектов и др. Для создания Т. с. используют области кристаллов, свободные от осн. элементов ИС, разделит, дорожки между отд. кристаллами или специально отведённые места пластины в виде тестовых ячеек с унифицированно расположенными контактными площадками. 

Т. с. делятся на технологические, схемотехнические и дефектоскопические. Технологические Т.е. (элементы ИС с увеличенными размерами и конфигурацией областей) служат для контроля электрофиз. параметров отд. областей ИС и позволяют проводить измерения непосредственно в процессе изготовления ИС. К этой же группе Т. с. относят оптич. Т. с., используемые для измерения размеров ИС. Схемотехнические Т.е. (элементы ИС, снабжённые отд. выводами с контактными площадками) применяют для контроля электрич. характеристик отд. элементов и узлов ИС. Дефектоскопические Т.е. (сборки однотипных элементов ИС) используют для обнаружения локальных дефектов (пор в диэлектрич. слоях, структурных дефектов ПП областей, обрывов и коротких замыканий металлизир. разводки), нарушающих работу ИС.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.