ТЯНУТЫЙ ТРАНЗИСТОР

биполярный транзистор, в котором р-п-переходы созданы вытягиванием монокристалла полупроводника из расплава. Для изготовления Т. т. исходный расплав (в основном 51 или Се) легируют донор-ной и акцепторной примесями, в качестве которых используют вещества, имеющие разл. зависимость коэф. распределения примесей между жидкой и твёрдой фазами от скорости кристаллизации и от температуры.  

Области с разл. типом проводимости получают изменением скорости вытягивания монокристалла или изменением температуры расплава. Использование метода вытягивания монокристалла позволяет создавать базовый слой Т. т. с толщиной 3-5 мкм, что обеспечивает работу на частотах до неск. МГц. Т. т. вытеснены диффузионными транзисторами, которые имеют более простую технологию изготовления.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.