СПЛАВНО-ДИФФУЗИОННЫИ ТРАНЗИСТОР

Биполярный транзистор, в котором электронно-дырочные переходы создают путём введения примесей в полупроводниковый материал с помощью процессов вплавления и диффузии. При изготовлении С.-д. т. ПП пластину (обычно из Се р-типа проводимости) легируют примесью п-типа проводимости для создания пассивного базового слоя.

В эту пластину вплавляют (см. Сплавной транзистор) порцию сплава, содержащего акцепторные и донорные примеси, в качестве которых используют вещества, имеющие разл. скорости диффузии в материале пластины. При температуре 600-800 С из расплавленной капли сплава происходит диффузия примесей в ПП пластину. После охлаждения над диффузионной базовой областью с переменной концентрацией примесей образуется рекристаллизованная сильнолегированная эмиттерная область. Эти области вместе с легированной ПП пластиной, являющейся областью коллектора С.-д. т., создают два р-п-перехода. Вывод от базового слоя делают вплавлением капли др. сплава.

В соответствии с механизмом переноса неосновных носителей заряда С.-д. т. является дрейфовым транзистором. Использование метода диффузии примесей позволяет создавать очень тонкий базовый слой (ок. 1 мкм), что в сочетании с дрейфовым механизмом движения неосновных носителей заряда обеспечивает работу С.-д. т. на высоких частотах(до 1000 МГц).

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.