ПРОБОЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Явление резко-го возрастания электрич. тока через полупроводниковый образец при малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов, приводящее к необратимому тепловому разрушению образца или его участка. Характер такого пробоя связан с экспоненциальным ростом в ПП концентрации свободных носителей заряда (НЗ) при увеличении температуры: локальный разогрев участка ПП сопровождается увеличением концентрации НЗ и локальной плотности тока, что ведёт к дальнейшему повышению температуры этого участка и т. д. Осн. механизмы П. в п. - ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрич. полях, сопровождающиеся локальным разогревом области сильного поля (лавинно-тепловой пробой), а также локализация тока вблизи дислокаций, дефектов решётки, посторонних включений и т. п. или эффект шнурования тока в образцах с 5-образной вольт-амперной характеристикой (см. Токовая неустойчивость).

В ПП приборах сильные электрич. поля чаще всего локализуются в области объёмного заряда вблизи барьерных контактов, где при недостаточном теплоотводе возникает пробой (см. Полупроводниковый переход. Пробой полупроводниковых приборов,).Иногда термин «П. в п.» применяют к обратимым процессам, связанным с ограниченным возрастанием тока через ПП образец в узком интервале изменения электрич. поля, например при ударной ионизации атомов кристалла (лавинный пробой) или при межзонном туннелировании электронов (туннельный пробой, или пробой Зенера; см. Туннельный Эффект).

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.