ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ ИНЖЕКЦИЕЙ

Интегральный полупроводниковый прибор, содержащий, как правило, две МОП-структуры на единой полупроводниковой подложке; действие основано на накоплении носителей заряда внутри МОП-структуры, перемещении накопленного (информационного) заряда от одного структурного элемента к другому и инжекции информац. заряда в область полупроводника, где происходит его преобразование в выходной сигнал. Т. о., между двумя МОП-структурами ПЗИ существует зарядовая связь (см. Прибор с зарядовой связью). ПЗИ используют главным образом в фоточувствит. интегральных схемах. Иногда всю ИС на ПЗИ элементах также наз. ПЗИ. 

Осн. отличием матрицы ПЗИ от матрицы приборов с зарядовой связью является то, что в матрице ПЗИ относительно просто осуществляется произвольная выборка информации из фоточувствит. элементов, что расширяет функцией, возможности аппаратуры. На рис. представлена матрица, содержащая 4X4 ПЗИ-элементов и два адресных регистра. Если при накоплении информации (приёме светового сигнала) на все МОП-структуры, связанные с регистром горизонтальной развёртки (1), подаётся потенциал больший, чем на МОП-структуры, связанные с регистром вертикальной развёртки (2), то под электродами первых МОП-структур накапливается информац. заряд. При выборке строки (например, первой) на всех электродах 1 этой строки устанавливается меньший потенциал, чем на электродах 2. Информац. заряд переходит под электроды 2 и может быть считан поэлементно, в произвольной последовательности, при снятии потенциала с соответствующего электрода этих МОП-структур, затем заряд инжектируется в подложку, вызывая изменение тока в цепи сигнальная шина - подложка, либо под столбцовую шину, вызывая изменение потенциала на ней.

С сер. 80-х гг. известны фоточувствит. ИС на основе ПЗИ со степенью интеграции до 256X256 элементов. Увеличение степени интеграции ограничивается необходимостью считывать малые информац. сигналы на фоне больших помех.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.