ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИИ РЕЗИСТОР

Постоянный резистор, выполненный и используемый в составе полупроводниковой микросхемы. П. м. р. получают методами диффузии или ионного легирования в слоях транзисторной структуры и формируют непосредственно в процессе изготовления микросхемы. П. м. р. могут быть реализованы на основе любой из структурных областей транзистора. Обычно П. м. р. создают на основе базовой области (уд. поверхностное электрич. сопротивление до 3 кОм/кв) транзистора; эмиттерная область из-за наибольшей концентрации примесей используется для формирования резисторов с малым уд. электрич. сопротивлением (до 3 Ом/кв), а резисторы, сформированные в коллекторной области (уд. сопротивление до 200 Ом/кв), обладают достаточно большим температурным коэф. сопротивления к, От др. элементов (участков) микросхемы П. м. р. изолируются р-п-переходом или слоем диэлектрика. Форма и размеры областей определяются рисунком фотошаблона, процессами фотолитографии, диффузии и ионной имплантации, последний метод позволяет изготовлять П. м. р. с мин. разбросом величины сопротивления.

Сопротивление П. м. р. определяется уд. электрич. сопротивлением ПП слоя, его толщиной и занимаемой площадью, размеры которой ограничиваются величиной мощности рассеяния (предельно допустимая уд. мощность рассеяния 5 мВт/мм). Макс, напряжение на П. м. р. не может быть больше напряжения смещения, к-рое, в свою очередь, не может превышать пробивного напряжения изолирующего перехода. П. м. р. обладают относительно большим знакопеременным ас, что обусловлено температурной зависимостью подвижности и концентрации носителей заряда в объёме ПП слоя.

Для многих типов микросхем, особенно цифровых, когда требуется выдерживать лишь необходимое соотношение между сопротивлениями неск. резисторов, трудности, связанные с точным воспроизведением абс. значения сопротивления, и нелинейность характеристик П. м. р. не являются препятствием их широкому использованию, тем более что для формирования П. м. р. не нужно дополнит, операций, которые удорожают микросхему.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.