ПИРОЛИТЙЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ

Способ формирования слоев (изолирующих, резистивных, полупроводниковых и др.) путём термич. разложения вещества с выделением из него твёрдого осадка. Используется в технологии оптич., гибридных тонкоплёночных и ПП ИС, при изготовлении ЭВП и оптич. волокон, для получения чистых материалов и т. д. Достоинством П. о. является особенность механизма образования плёнки: благодаря хаотич. движению молекул разлагаемого вещества в зоне реакции получают равномерные покрытия на изделиях сравнительно сложной конфигурации.

П. о. наиболее часто проводят в установках проточного типа с печами индукционного или резистивного нагрева. Газообразное или переведённое в паровую фазу хим. соединение с помощью газоносителя подаётся в рабочую зону установки; пиролиз происходит непосредственно на поверхности подложки или в отд. камере, откуда продукты разложения переносятся к подложке. Так, например, получают плёнки поликристаллич. 51 в технологии кремниевых БИС, используя разложение моноси-лана 51Н при температуре 600-750 С. В некоторых случаях посредством П. о. получают эпитаксиальные слои 51 из 51Н при 1170-1370 К или 5И при 1070-1270 К. Примером осаждения диэлектрич. слоев может служить получение плёнки 510ц. в результате разложения при 1000-1100 К содержащих кислород кремнийорганич. соединений типа при 1000-1100 К, образующиеся при этом газообразные продукты удаляются из реактора газом-носителем.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.