Эмиттера, явление возрастания плотности тока эмиттера в биполярном транзисторе от центр, участков эмиттера к его периферии при высоких уровнях инжекции неосновных носителей заряда. В результате О. т. при больших центр, участки эмиттера практически перестают работать. О. т. вызывается базовым током, протекающим в базовой области транзистора по направлению от периферии эмиттера к центру, что приводит к падению напряжения в базе вдоль перехода эмиттер - база. С увеличением (и, следовательно, базового тока) различие в падениях прямого напряжения в центре эмиттера и на его периферии увеличивается, в результате чего увеличивается и эффект О. т.

О. т. наиболее сильно выражено в мощных биполярных транзисторах, характеризующихся большой площадью эмиттера и высокими значениями, где это явление играет отрицат. роль. Для более эффективного использования эмиттера в таких транзисторах его делают разветвлённым с высоким отношением периметра к площади.