Обеднённый слой

Область вблизи электрического контакта, например, полупроводника с металлом, двух полупроводников с разным типом проводимости, представляющая собой слой ионизованных примесей, в котором почти полностью отсутствуют свободные носители заряда. Образуется в большинстве полупроводниковых переходов в результате диффузии свободных носителей из одного контактирующего тела в другое или под действием внешнего электрического поля. 

Наиболее отчётливо Обеднённый слой выражен в контактах Шоттки и электронно-дырочных переходах (р - п-переходах). В условиях термодинамического равновесия в контактах Шоттки и р - п-переходах концентрация свободных носителей заряда в Обеднённом слое равна собственной концентрации носителей в полупроводнике. В МДП-структурах Обеднённый слой образуется при приложении внешнего напряжения, а в отсутствие напряжения - при наличии заряженных центров на границе раздела диэлектрик - ПП.

Сопротивление и ёмкость слоя зависят от внешнего напряжения, что используется в варикапах, варисторах, параметрических диодах и других ПП приборах.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.