Область вблизи электрич. контакта, например, полупроводника с металлом, двух полупроводников с разным типом проводимости, представляющая собой слой ионизованных примесей, в котором почти полностью отсутствуют свободные носители заряда. Образуется в большинстве полупроводниковых переходов в результате диффузии свободных носителей из одного контактирующего тела в другое или под действием внеш. электрич. поля.

Наиболее отчётливо О. с. выражен в контактах Шоттки (см. Контакт металл - полупроводник) и электронно-дырочных переходах (р - п-переходах). В условиях термодинамич. равновесия в контактах Шоттки ир - п-переходах концентрация свободных носителей заряда в О. с. равна собств. концентрации носителей в полупроводнике. В МДП-структурах О. с. образуется при приложении внеш. напряжения, а в отсутствие напряжения - при наличии заряженных центров на границе раздела диэлектрик - ПП.

Сопротивление и ёмкость О. с. зависят от внеш. напряжения, что используется в варикапах, варисторах, пара-метрич. диодах и др. ПП приборах.