МОДУЛЯТОР СВЕТА

Оптическое устройство для модуляции света. Различают внешние и внутренние М. с. (осуществляется соответственно внеш. и внутр. модуляция света). Наиболее распространёнными являются внутр. М. с., основанные на управлении когерентным оптич. излучением за счёт изменения параметров оптического резонатора лазера, и внешние М. с. на основе физ. эффектов, протекающих в жидких и твёрдых средах при воздействии на них электрич., акустич., магн. и др. полей. В зависимости от используемых физ. эффектов различают электрооптические, магнитооптические, акустооптические, фотоупругие и ПП М. с.

Электрооптические М. с. основаны на изменении оптич. характеристик среды под действием электрич. поля. В М. с. на основе Поккельса эффекта фазовый сдвиг между обыкновенным и необыкновенным лучами линейно зависит от величины напряжённости электрич. поля, а в М. с. на основе Керра эффекта - пропорционален квадрату напряжённости поля. Важным свойством электрооптич. эффекта является его малая инерционность, позволяющая осуществлять модуляцию света до частот -10-50 ГГц.

Магнитооптические М. с. основаны на изменении оптич. характеристик среды под действием магн. поля. В М. с. на основе Фарадея эффекта (в прозрачных веществах) периодически меняющееся магн. поле приводит к периодич. изменению угла вращения плоскости поляризации света, прошедшего через магнитооптич. элемент, помещённый в это поле. Угол поворота плоскости поляризации пропорционален длине пути света в веществе и при достаточной прозрачности среды может быть сколь угодно большим. Важной особенностью магнитооптич. М. с. является постоянство коэф. уд. вращения плоскости поляризации в ИК диапазоне длин волн.

Действие акустооптических М.с. основано на явлении дифракции света на ультразвуке. В упругооптичес-ких М.с. используется искусств, анизотропия, которая возникает в не которых изотропных твёрдых телах под действием упругих напряжений (фотоупругость). При прохождении плоскополяризов. излучения через фотоупругую среду с наведённым двойным лучепреломлением оптич. излучение становится эллиптически поляризованным.Полупроводниковые М. с. основаны на изменении поглощения света средой. Электрич. управление поглощением света осуществляется либо изменением концентрации свободных носителей или их подвижности, либо за счёт сдвига края полосы поглощения (Франца - Келдыша эффект).

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.