МНОГОЭМИТТЕРНЫЙ ТРАНЗИСТОР (МЭТ)

Биполярный транзистор, который имеет несколько эмиттерных областей. Различают Многоэмиттерные транзисторы или МЭТ транзисторы, в которых эмиттерные области объединены одним внешним выводом, и Многоэмиттерные транзисторы, в которых каждая эмиттерная область имеет отдельный внешний вывод.

Многоэмиттерные транзисторы, эмиттерные области которых объединены одним внешним выводом, характеризуются большим значением отношения периметра эмиттера к его площади, что обеспечивает уменьшение сопротивления базы транзистора и увеличение плотности его эмиттерного тока. Такие транзисторы применяют главным образом в качестве мощных ВЧ и СВЧ транзисторов. Наиболее распространёнными являются транзисторы с полосковой, ячеистой и сетчатой формами эмиттерной области. Многоэмиттерные транзисторы с ячеистой формой эмиттерной области имеют наибольшую величину отношения периметра эмиттера к его площади, что обеспечивает максимальное усиление по мощности. Многоэмиттерные транзисторы с сетчатой формой эмиттерной области имеют наибольшее значение отношения суммарной площади эмиттерных областей к площади коллекторной области, что обеспечивает работу такого транзистора при значительных рабочих токах.

Многоэмиттерные транзисторы, в которых каждая эмиттерная область имеет отдельный внешний вывод, используются в транзисторно-транзисторной логике в качестве логического элемента «И». Отличительной особенностью таких транзисторов является достаточно большое расстояние между отдельными эмиттерными областями и наличие сопротивления между базовой областью и её внешним выводом, что обеспечивает уменьшение коэффициента передачи тока между эмиттерными областями, а также малую величину инверсного коэффициента передачи тока (0,01) и, соответственно, увеличение нагрузочной способности транзистора. Увеличение скорости переключения таких транзисторов достигается уменьшением площади эмиттерных областей.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.