МАГНИТНЫЙ ГИСТЕРЕЗИС

Запаздывание изменения намагниченности 1 (или магн. индукции В) ферромагн. вещества по отношению к изменению напряжённости внеш. магн. поля Н. М. г. обусловлен наличием необратимых процессов намагничивания, связанных с неоднородностями внутр. ме-ханич. напряжений, инородными включениями и др. дефектами структуры ферромагн. материала. К осн. факторам, вызывающим М. г., относятся: задержка смещения границ магнитных доменов при намагничивании ферромагнетика; задержка роста зародышей перемагничивания; необратимые процессы вращения вектора намагниченности. Зависимость 1=1(Н) в знакопеременном магн. поле имеет вид петли (рис.). На практике её получают по данным перемагничивания образца в медленно изменяющихся (квазистатических) полях.

Если макс, значение внеш. знакопеременного магн. поля достаточно для намагничивания образца до насыщения, то соответствующая петля наз. предельной; другие возможные петли, полученные при меньших макс, значениях и лежащие внутри предельной, наз. частными (непредельными). Частные петли могут быть симметричными, когда положит, и отрицат. макс, значения поля одинаковы по модулю, и несимметричными, когда это условие не соблюдается. Если до начала действия поля образец был полностью размагничен, то кривая зависимости 1=1(Н) наз. основной кривой намагничивания; эта кривая проходит через вершины симметричных частных петель М. г. Площадь петли М. г. пропорциональна потерям энергии, затрачиваемым на пере-магничивание образца (см. Гистерезисные потери). С ростом частоты перем. магн. поля (числа циклов перемагничивания в единицу времени) к гистерезисным потерям добавляются др. потери, связанные с вихревыми токами и магнитной вязкостью. Площадь петли М. г. при высоких частотах соответственно увеличивается. Такую петлю иногда наз. динамической, в отличие от петли М. г., полученной в квазистатич. поле.

К наиболее важным характеристикам предельной петли М. г., входящим в число осн. параметров магн. материалов, относятся остаточная намагниченность (или остаточная индукция) и коэрцитивная сила. На использовании М. г. основана работа разл. переключающих и запоминающих устройств.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.