Криоэлектронное устройство на основе сверхпроводящих элементов, предназначенное для обработки и запоминания информации. Принцип действия К. заключается в изменении состояния сверхпроводящего элемента под действием внеш. магн. поля при подаче на вход импульса тока управления. Первые (обычные) К. появились в кон. 50-х гг. 20 в.; в них элементом, который переводился током управления (магн. полем) из сверхпроводящего в нормальное (рези-стивное) состояние, служили сверхпроводящая проволочка, а затем плёнка (плёночные К.). Такие К., однако, не получили распространения.

В 1967 амер. физик Дж. Ма-тису предложил туннельный К., наз. также криоса-ром; в нём под действием тока управления (магн. поля) происходит изменение состояния джозефсоновского перехода (см. Джозефсона эффект), образуемого сверхпроводящими электродами, соединёнными тонким слоем диэлектрика, норм, металла или узкой сверхпроводящей перемычкой (чаще всего туннелирование сверхпроводящих электронных пар из одного сверхпроводника в другой происходит в нём через изолирующий слой толщиной 20-30 А). Туннельные К. обладают рекордно высоким быстродействием (10 с) при весьма малой энергии, потребляемой при переключении (10 Дж). На основе туннельных К. в наст, время (нач. 90-х гг.) разрабатываются сверхбыстродействующие импульсные и логич. устройства, БИС, ЭВМ И Др.