КОНВЕРСИОННЫЙ ТРАНЗИСТОР

Биполярный транзистор, электронно-дырочные переходы которого созданы изменением (превращением, конверсией) типа проводимости исходной полупроводниковой пластины в результате термич. обработки и введением в неё примесей с помощью процессов вплавления и диффузии. На поверхности исходной ПП пластины из Се с проводимостью п-типа напыляют тонкий слой Си. При нагревании ПП пластины до температуры 600-800 С происходит конверсия её типа проводимости в результате диффузии Си в Се.

Эмиттерную область К. т. получают вплавлением (см. Сплавной транзистор) в ПП пластину 1п, легированного; базовую область создают диффузией из расплава в пластину Се (низкоомная часть базы) и обратной диффузией Си из Се в расплав (высокоомная часть базы). Эти области образуют с исходной ПП пластиной, являющейся коллекторной областью К. т., два р-п-перехода со структурой, близкой к р-п-р-типу. Малая толщина низко-омной части базы обеспечивает работу К. т. на частотах до сотен МГц. Наличие в базе высокоомной части определяет высокие пробивные напряжения коллекторного перехода и малые ёмкости коллектора, что позволяет использовать К. т. в качестве мощного транзистора. Важной особенностью К. т. является невозможность возникновения тагового пробоя.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.