КОНТАКТ МЕТАЛЛ - ПОЛУПРОВОДНИК

Переходная область между приведёнными в соприкосновение металлом и полупроводником, обеспечивающая прохождение тока между ними; разновидность полупроводникового перехода. При установлении К. м. - п. вследствие различия в работе выхода электронов контактирующих материалов возникают встречные диффузионные и дрейфовые электронные потоки, выравнивающие Ферми уровни металла и ПП (см. Контактные явления).

В результате вблизи границы соприкосновения металл - полупроводник образуется двойной электрич. слой пространств, заряда, наз. переходным барьерным слоем, и возникает связанная с ним контактная разность потенциалов. Переходный слой характеризуется распределением в нём подвижных носителей заряда и примесных атомов, высотой и формой потенциального барьера, шириной слоя. Поскольку для металлов расстояние, на к-рое распространяется действие электрич. поля отд. зарядов (дебаевский ради/с экранирования), пренебрежимо мало, переходный слой К. м.-п. практически полностью сосредоточен в приконтактной области ПП.

Кроме того, в реальных К. м. - п. значит, часть экранирующего заряда может быть сосредоточена на поверхностных электронных состояниях контакта, определяя исходную высоту потенц. барьера. Если в переходном слое К. м. - п. концентрация осн. носителей заряда повышена по сравнению с их концентрацией в остальном объёме ПП (за счёт контактных явлений либо за счёт подлегирова-ния слоя), то слой наз. обогащённым. К. м. - п. с обогащённым слоем могут не образовывать потенц. барьера (например, в контакте А1-р 51). Такие контакты используют в качестве омических контактов. Если переходный слой К. м. - п. обеднён осн. носителями заряда, то такой контакт наз. Шотткиконтактом (по имени нем. учёного В. Шоттки), а сформированный в нём потенц. барьер - барьером Шоттки. К. м. - п. с барьером Шоттки обладают выпрямляющим действием.

В отличие от электронно-дырочного перехода (р-п-перехода), такой контакт имеет только барьерную ёмкость перехода, а его выпрямляющее действие определяется практически лишь изменениями надбарьерного потока осн. носителей, что обеспечивает более высокое быстродействие такого контакта по сравнению с р-п-перехо-дом. Шоттки-контакты используют при создании разл. ПП приборов (импульсных, детекторных, смесительных диодов, лавинно-пролётных диодов, фотодиодов, детекторов ядерного излучения, биполярных и полевых транзисторов и др.). Кроме того, К. м. - п. с барьером Шоттки являются удобным средством исследования примесных профилей в слоях ПП. Примеры Шоттки-кон-тактов. ВАХ большинства Шот-тки-контактов (как и электронно-дырочных переходов) имеют экспоненциальный вид.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.