ИЗОЛЯЦИЯ

Метод электрич. развязки элементов в полупроводниковых интегральных схемах, когда для каждого элемента формируется своя область, окружённая р-п-переходом, на который при работе ИС подаётся обратное напряжение смещения.Такие переходы наз. изолирующими, т. к. при обратном смещении через них протекают только токи утечки, плотность которых пренебрежимо мала.

Обычно изолирующие р-п-переходы создаются методами планарно-эпитаксиальной технологии (см. Пленарная технология), для чего используется пластина р-типа с эпитаксиальным слоем п-типа и скрытым п+-слоем. Изолирующий р-п-переход создаётся в результате разделит, диффузии акцепторной примеси в эпитаксиаль-ный слой на глубину, обеспечивающую соединение диффузионной р-области с р-подложкой. При этом происходит разделение эпитаксиального п-слоя на отд. области (изолированные островки, или карманы) п-типа, окружённые со всех сторон областями р-типа. Возможна и др. конструктивно-технологич. реализация этого метода: изоляция р-т-структурой, коллекторная изолирующая диффузия, базовая изолирующая диффузия и др.

И. р-п-п. более технологична по сравнению с изоляцией диэлектриком, но (вследствие электропроводности подложки) обладает рядом недостатков, ограничивающих быстродействие, надёжность и стабильность работы ИС в широком диапазоне рабочих температур и частот, а также при воздействии ионизирующих излучений. Осн. из них являются большая паразитная ёмкость р-п-перехода и трудность её учёта из-за зависимости от напряжения смещения, существенная зависимость токов утечки от температуры, сравнительно невысокое пробивное напряжение изолирующего р-п-перехода.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.