Транзистор, в котором полупроводниковые области с разл. типом проводимости создаются с помощью ионного легирования. И. т. (по сравнению с др. транзисторами, например диффузионными) обладает рядом преимуществ, обусловленных особенностями ионного легирования, что позволяет: получать тонкие (десятые доли мкм) легир. слои при высокой точности их залегания (порядка 0,02 мкм); осуществлять точный контроль концентрации легирующей примеси в широком диапазоне значений (10-10 см); формировать заданный профиль распределения примеси; проводить процессы легирования изотопно-чистой примесью при низкой температуре в вакуумно-чистых условиях; локализовывать легир. области (до величин 0,1 мкм); осуществлять широкий выбор ПП материалов (подложек), легирующих и маскирующих слоев, а также контролировать введение радиац. нарушений.