ИОННАЯ ОЧИСТКА

Удаление органич. веществ (например, остатков фото- или электронорезиста), оксидных плёнок, локальных оксидных образований или сорбированных продуктов реакции травления с поверхностей изделий из металлов, полупроводников или диэлектриков посредством воздействия на них несфокусированным пучком ионов (см. Ионная бомбардировка).

И. о. используется, например, в ионно-плазм. технологии, как правило в одном технологич. цикле с процессами вакуумно-термич. или ионно-плазм. нанесения тонких плёнок на подложку, что способствует увеличению сцепления плёнки с подложкой и препятствует образованию между ними промежуточного (переходного) слоя с неконтролируемым хим. составом. Осн. недостаток И. о. - возможность нарушения стехиометрии состава очищаемой поверхности и усиления взаимной диффузии атомов материалов плёнки и подложки даже при низких (300-500 К) температурах последней.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.