ИНЖЕКЦИОННО-ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД

Пол/проводниковый диод с отрицательным сопротивлением в СВЧ диапазоне, работающий в режиме инжекции неосновных носителей заряда через прямосмещённый полупроводниковый переход (р-п-переход или барьер Шоттки) в пролётное пространство запирающего слоя (область дрейфа). Предназначен главным образом для генерирования СВЧ колебаний в диапазоне до 10 ГГц. Обычно ИПД представляет собой кремниевую структуру типа р-л-р, Ме-п-р или Ме-п-Ме с двумя включёнными навстречу друг другу ПП переходами. В рабочем режиме области пространств, заряда ПП переходов смыкаются. Возникновение отрицат. сопротивления в ИПД связано с временным запаздыванием осн. процессов (конечным временем инжекции носителей заряда и их пролёта через область дрейфа), приводящим к сдвигу фаз между током и напряжением на выводах прибора.

По сравнению с лавинно-пролётным диодом ИПД обладает более низким уровнем шумов, что связано с отсутствием в нём ударной ионизации и лавинного умножения носителей заряда. В то же время уровень СВЧ мощности и кпд в нём значительно ниже, чем в ЛПД. Так, наибольшая выходная мощность в КВ области сантиметрового диапазона составляет в ИПД от неск. десятков до сотен мВт при макс, кпд до 5%. ИПД используются главным образом в качестве гетеродинов в малошумящих усилит, и генераторных устройствах.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.