ИНЖЕКЦИОННАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ

В полу-проводниках, вид токовой неустойчивости, возникающей в легированных примесями полупроводниковых образцах, снабжённых одним или двумя инжектирующими контактами. Наблюдается преим. в ПП диодах с базой из собственного или сильно компенсированного ПП (слоя), с двух сторон которого размещены контакты с дырочной (р) и электронной (п) проводимостью. Первые эксперим. и теоретич. исследования И. н. выполнены в кон. 50-х гг. 20 в. сов. учёным В. И. Стафеевым.

При И. н. перераспределение напряжений между базовой и контактными областями диода вызывает изменение проводимости базы и появление 5- и М-образных участков на ВАХ диода. Изменение проводимости базы при ин-жекции связано либо с изменением времени жизни неосновных носителей заряда по мере заполнения ими глубоких уровней (т-механизм), либо с изменением подвижности и скорости амбиполярного дрейфа носителей заряда по мере увеличения их концентрации (механизм). И. н. используют для создания ПП диодов с 5-образной ВАХ (фотодиодов, диодов для генерирования электро-магн. колебаний). В ряде случаев И. н. нежелательна, т. к. может привести к локальному нагреву ПП прибора и, как следствие, его пробою (см. Пробой полупроводниковыхприборов).

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.