ГЕТЕРОПЕРЕХОД

Полупроводниковый переход между двумя разнородными по основному химическому составу или (и) фазовому состоянию полупроводниками (в отличие от гомоперехода, формируемого в объёме одного и того же полупроводника).

Различают Гетеропереходы анизотипные, когда контактируют ПП с электронной (п) и дырочной (р) электрическими проводимостями, и изотипные - между ПП с одним типом проводимости. Комбинации различных Гетеропереходов образуют гетероструктуры. Основным методом создания Гетероперехода является эпитаксия. При условии высокой степени совпадения типа, ориентации и периода кристаллических решёток сопрягаемых ПП материалов метод эпитаксии позволяет получать Гетеропереход с границей раздела, практически свободной от структурных и других дефектов (дислокаций, точечных дефектов и т. п.), а также создавать многослойные гетероструктуры типа сверхрешёток с толщиной слоев менее 10 нм.

Главная особенность Гетероперехода по сравнению с гомопереходом состоит в скачкообразном изменении свойств на границе раздела ПП: ширины запрещённой зоны, подвижности носителей заряда, их эффективной массы, энергии сродства к электрону и другого. Наибольший интерес представляют переход, свойства которых обусловлены различиями в значениях ширины запрещённой зоны и энергии сродства к электрону контактирующих ПП. Энергетическая диаграмма таких переходов содержит скачки энергии в зоне проводимости и в валентной зоне, так что высота потенциального барьера для электронов и дырок оказывается различной.

Эта особенность Гетероперехода позволяет изменять соотношения между потоками носителей заряда над барьерами (или сквозь барьеры), например создавать практически одностороннюю инжекцию носителей заряда, в отличие от р-п гомоперехода, где основную роль играет различие в концентрациях примеси. Скачкообразное изменение свойств переходов и возможность целенаправленного управления этими свойствами подбором сопрягаемых ПП материалов открывает широкие возможности для совершенствования на основе Гетеропереходов традиционных ПП приборов (диодов, транзисторов, фотоэлементов, светоизлучающих диодов и т. д.), создания оригинальных гетеропереходных полупроводниковых приборов.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.