ФОТОТРАНЗИСТОР

Транзистор (обычно биполярный), в котором управление коллекторным током осуществляется на основе внутр. фотоэффекта; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Основу Ф. составляет монокристалл полупроводника со структурой п-р-п- или р-п-р-типа. Кристалл монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф. во внеш. электрич. цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и оборванным базовым выводом (нулевым током базы).

При попадании излучения на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрич. полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители заряда, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению тока через Ф. по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.

Осн. параметрами и характеристиками Ф. являются: интегральная чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку); у Ф., изготовленных по диффузионной пленарной технологии, она достигает 10 А/лм; спектральная характеристика (зависимость чувствительности к монохроматич. излучению от длины волны этого излучения), позволяющая, в частности, установить ДВ границу применимости Ф.; эта граница (в случае собств. поглощения зависящая прежде всего от ширины запрещённой зоны ПП материала) для германиевого Ф. составляет 1,7 мкм, кремниевого - 1,1 мкм; постоянная времени (характеризующая инерционность Ф.) не превышает неск. мкс; темновой ток (ток через Ф. при отсутствии излучения) не превышает десятков нА. Кроме того, Ф. характеризуется коэф. усиления первонач. тока, достигающим 10-10.

Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также малые габаритные размеры и относит, простота конструкции позволяют широко использовать Ф. в системах контроля и автоматики в качестве датчиков освещённости и элементов гальванич. развязки.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.