ФОТОРЕЗИСТОР

Полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. излучения. Ф. относятся к фото-электрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в ПП. Основу Ф. составляет слой (или плёнка) ПП материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством которых Ф. подключается к электрич. цепи.

Фоторезистивный слой получается, например, прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии ПП материала непосредственно на поверхности подложки, хим. осаждением, эпитаксией, напылением (плёнок). Полученные таким образом слои (плёнки) подвергают обжигу. В зависимости от назначения Ф. могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе ИС. Для расширения функцион. возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами (оптич. модуляторами), предварит, усилителями (в микроминиатюрном исполнении), термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др.

Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрич. характеристик во времени, малая инерционность, простота устройства, допускающая разнообразное конструктивно-технологич. исполнение, способность работать в широком диапазоне механич. и климатич. воздействий обусловили широкое использование Ф. в приборах и устройствах оптоэлектроники.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.