ФОТОРЕЗИСТ

Резист, чувствительный к оптич. излучению видимой или УФ области. Наибольшее распространение получили органич. Ф., представляющие собой р-р в органич. растворителе либо светочувствит. полимера, либо неполимерного светочувствит. соединения и плёнкообразующего полимера. Толщина светочувствит. слоя, сформированного из Ф. в процессе фотолитографии (см. Литография), обычно составляет 0,5-2,5 мкм. Из негативных распространены Ф. на основе сенсибилизир. поливинилового спирта, поливинилциннамата, поливинилдиаллилфта-лата, циклополиизопрена или полиэпоксибутадиена с би-сарилазидами. Изготовление позитивных Ф. основано на использовании о-диазокетонов в композиции с феноль-ными и др. смолами.

Область спектральной чувствительности большинства Ф. охватывает диапазон 350-450 нм; необходимая экспозиция составляет 50-500 мДж/см; показатель изменения относит, стойкости Ф. в проявляющей среде после экспонирования обычно лежит в пределах 10-10. Разрешающая способность Ф. составляет от неск. сотен до неск. тыс. мм, причём позитивные Ф. имеют, как правило, более высокую разрешающую способность, чем негативные. Критерий микродефектности для лучших Ф. 0,05-1,0 см . Ф. стойки в разбавленных кислотах и кратковременно устойчивы в сильных неокисляющих кислотах. Ряд Ф. устойчив в щелочных р-рах, некоторые - в условиях ионной бомбардировки и плазмохим. газофазного травления в неокислит. среде. Ф., как правило, нестойки в присутствии окислителей, что используется для их удаления.

По сравнению с др. резистами Ф. наиболее широко применяются в микроэлектронике при создании интегральных схем, запоминающих устройств и т. д. Перспективно применение Ф., чувствительных к коротковолновому УФ излучению, что позволит формировать в слое Ф. изображения с размерами элементов менее 1 мкм.

При поглощении свободными носителями длинноволнового электро-магн. излучения, не вызывающего межзонных переходов и ионизации примесных центров, происходит увеличение энергии («разогрев») носителей, что приводит к изменению их подвижности и, следовательно, электропроводности. Такая «подвижностная» Ф. убывает при высоких частотах и перестаёт зависеть от частоты при низких частотах. Изменение подвижности под действием электро-магн. излучения может быть обусловлено не только увеличением энергии носителей, но и влиянием излучения на процессы рассеяния электронов крист. решёткой.

На использовании явления Ф. основана работа фоторезисторов, фотодиодов, фототранзисторов, некоторых ЭЛП и др. электронных приборов.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.