Динамическое токооседание

Оседание электронов на стенки канала электродинамической системы в результате взаимодействия электронного пучка (потока) с СВЧ полем. Динамическое токооседание приводит к нагреву бомбардируемых участков и является одним из главных факторов, ограничивающих надёжность и уровень мощности СВЧ приборов О-типа, поскольку при большой мощности Динамического токооседания выходной участок электродинамической системы расплавляется и прибор выходит из строя.

Динамическое токооседание растёт с ростом электронного кпд прибора и составляет обычно несколько процентов от общего тока электронного пучка при кпд 10-20% и 5-15% при кпд 20-40%. Причиной токооседания является увеличение радиуса траекторий замедленных электронов под действием переменной составляющей поля пространств, заряда сгруппированного пучка и СВЧ электро-магнитного поля. Динамическое токооседание в клистронах происходит в самом конце пролётного канала, вблизи выходного резонатора; в лампе бегущей волны - в конце замедляющей системы, причём зона токооседания имеет значительно большую, чем в клистроне, протяжённость.

Динамическое токооседание сильно зависит от перекосов электродов, полюсных наконечников и других несовершенств электронно-оптической системы. Для снижения токооседания уменьшают коэффициент заполнения (отношение радиуса электронного пучка к радиусу канала), повышают жёсткость фокусировки и точность сборки электронно-оптической системы.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.