Диэлектрический гистерезис

Запаздывание изменения величины вектора поляризации диэлектрика и её неоднозначная зависимость от напряжённости внешнего электрического поля. Наблюдается в сегнетоэлектриках и анти-сегнетоэлектриках. Кривая Диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектриков подобна кривой магнитного гистерезиса ферромагнетиков. Площадь петли Диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектрика характеризует потери энергии на перестройку доменной структуры при циклическом изменении внешнего электрического поля.

Кривая Диэлектрического гистерезиса антисегнетоэлектриков имеет вид двойной петли. Такой гистерезис связан с фазовым переходом антисегнето-электрика в сегнетоэлектрическое состояние под влиянием электрического поля критической напряжённости, сопровождаемым перестройкой кристаллической структуры. Гистерезис сегнетоэлектриков может быть использован для построения репрограммируемых долговременных запоминающих устройств ЭВМ и устройств управления.

Copyright © 2002 - 2017 Ravnopravie.kharkov.ua. All Rights Reserved.