Область биполярного транзистора между эмиттерным и коллекторным р—п переходами. Состоит из активной и пассивной частей. В активной части Базы транзистора неосновные носители заряда, инжектированные в неё эмиттером, частично рекомбинируя с основным носителями заряда, перемещаются к коллектору.

Осносной механизмом переноса носителей заряда является диффузия (при равномерном легировании Базы транзистора) или дрейф (при неравномерном). Пассивная часть Базы транзистора служит в основном для присоединения контактных выводов. Для уменьшения сопротивления пассивной части Базы транзистора её легируют на 1—2 порядка сильнее, чем активную часть.