Получение оксидной (окисной) плёнки на поверхности изделий из металлов, сплавов и полупроводников, включённых анодом, при электролизе или в электрическом разряде в кислородсодержащих средах.

Образование оксида при Анодировании изменяет поверхностные свойства материалов: электропроводность, твёрдость, термостойкость, износоустойчивость, каталитическую активность и другое. Различают Анодирование в электролитах, в расплавах солей, в газоразрядной плазме и плазменно-электролитическое.

Анодированиев электролитах (водных растворах кислот или щелочей) — наиболее распространённый и универсальный способ создания оксидных плёнок толщиной 1—250 мкм, например, для получения диэлектрических слоев в электролитических, оксидно-полупроводниковых и оксидно-металлических конденсаторах, антикоррозионных и декоративных покрытий, грунтовых слоев под лаки и краски.

Анодирование в расплавах солей (с температурой эвтектики 250—800 К) применяют при создании диэлектрических плёнок толщиной 20—400 мкм для конденсаторов и электроизоляционных плёнок повышышеной твёрдости. Анодирование в газоразрядной плазме тлеющего разряда, служащей источником ионов кислорода, проводится при давлении 1—100 Па и хорошо сочетается с операциями планерной технологии.

Иногда Анодирование проводится в газовой плазме высокочастотного разряда. Таким способом получают тонкоплёночные элементы ИС, формируется межкомпонентная изоляция микросхем. Плазменн лектролитическое Анодирование проводится в парогазовой атмосфере (при давлении 103—105 Па) с большим содержанием ионов кислорода. Такая атмосфера образуется в результате интенсивного испарения электролита водного раствора кислот или щелочей под воздействием электрического разряда между электродами, один из которых (обычно катод) находится в электролите, а другой (анод, т. е. анодируемое изделие) — над ним вне электролита.

Плазменно-электролитическое Анодирование применяют для получения диэлектрика в высоковольтных и прецизионных конденсаторах, создания антикоррозионных покрытий, при подгонке в номинал керметных резисторов и т. д.